键盘符号的英文读法
` backquote 反引号
~ tilde
! exclam
@ at
# numbersign,英语国家是hash，美语是pound,音乐里作sharp,如C#
$ dollar
% percent
^ caret
& ampersand
* asterisk,star(美语),数学公式中作multiply
( parenleft,opening parentheses
) parenright,closing paretheses
- minus;hyphen连字符,不读
_ underscore
+ plus
= equal
[ bracketleft,opening bracket
] bracketright,closing bracket
{ braceleft
} braceright
; semicolon
: colon
' quote
" doublequote
/ slash
\ backslash 反斜杠
| bar
, comma
< less
> greater
. period
? question
space 空格
下面是一些特殊符号的英文读法,
主要是数学符号
＜ is less than
＞ is more than
≮ is not less than
≯ is not more than
≤ is less than or equal to 小于或等于号
- hyphen 连字符
≥ is more than or equal to 大于或等于号
' apostrophe 省略号,英文中省略字符用的撇号;所有格符号
％ percent
－ dash 破折号
‰ per mille
∞ infinity 无限大号
∝ varies as 与…成比例
( ) parentheses 圆括号
√ (square) root 平方根
[ ] square brackets 方括号
∵ since; because 因为
《 》 French quotes 法文引号;书名号
∴ hence 所以
… ellipsis 省略号
∷ equals, as (proportion) 等于，成比例
¨ tandem colon 双点号
∠ angle 角
∶ ditto 双点号
⌒ semicircle 半圆
‖ parallel 双线号
⊙ circle 圆
／ virgule 斜线号
○ circumference 圆周
～ swung dash 代字号
△ triangle 三角形
§ section; division 分节号
⊥ perpendicular to 垂直于
→ arrow 箭号；参见号
∪ union of 并，合集
∩ intersection of 交，通集
∫ the integral of …的积分
± plus or minus 正负号
∑ summation of 总和
× is multiplied by 乘号
° degree 度
÷ is divided by 除号
′ minute 分
″ second 秒
≠ is not equal to 不等于号
≡ is equivalent to 全等于号
℃ Celsius degree 摄氏度
≌ is equal to or approximately equal to 等于或约等于号
再附送希腊字母的读法
α Α alpha ['ælfa]
β Β beta ['bi:ta / 'beita]
γ Γ gamma ['gæma]
δ Δ delta ['delta]
ε Ε epsilon ['epsilan / ep'sailan]
ζ Ζ zeta ['zi:ta]
η Η eta ['i:ta / 'eita]
θ Θ theta ['θita]
ι Ι iota [ai'outa]
κ Κ kappa ['kæpa]
λ Λ lamda ['læmda]
μ Μ mu [mju:]
ν Ν nu [nju:]
ξ Ξ xi [ksai / gzai / zai]
ο Ο omicron [ou'maikran]
π Π pi [pai]
ρ Ρ rho [rou]
σ Σ sigma ['sigma]
τ Τ tau [tau]
υ Υ upsilon ['ju:psilon / ju:p'sailan] o 是反 c 。
φ Φ phi [fai]
χ Χ chi [kai]
ψ Ψ psi [psi:]
ω Ω omega ['oumiga / ou'mi:ga]
From:http://bbs2.chinaunix.net/viewthread.php?tid=665794
Wednesday, August 12, 2009
Friday, July 17, 2009
FPGA port map note
Works:
COMPONENT_ACC:
acc PORT MAP
(
aclr => clr2acc,
clock => wr2acc,
data => ad_data,
result => result
);
COMPONENT_ad_fifo:
fifo PORT MAP
(
aclr => aclr,
result => result,
clock => clk,
rdreq => rdreq,
wrreq => wr2fifo,--wrreq,
q => q_fifo,--to ad_moudule interface
empty => fifo_empty,
full => fifo_full
);
============================================
Dos NOT work:
COMPONENT_ACC:
acc PORT MAP
(
aclr => clr2acc,
clock => wr2acc,
data => ad_data,
result(22 downto 7) => data
);
COMPONENT_ad_fifo:
fifo PORT MAP
(
aclr => aclr,
data => result(22 downto 7),
clock => clk,
rdreq => rdreq,
wrreq => wr2fifo,--wrreq,
q => q_fifo,--to ad_moudule interface
empty => fifo_empty,
full => fifo_full
);
============================================
Works:
result(22 downto 7) <= data;
COMPONENT_ACC:
acc PORT MAP
(
aclr => clr2acc,
clock => wr2acc,
data => ad_data,
result(22 downto 7) => data
);
COMPONENT_ad_fifo:
fifo PORT MAP
(
aclr => aclr,
data => result(22 downto 7),
clock => clk,
rdreq => rdreq,
wrreq => wr2fifo,--wrreq,
q => q_fifo,--to ad_moudule interface
empty => fifo_empty,
full => fifo_full
);
============================================
Signals with same name will be connected automatically.
Signals with differenet names should be connected explicitly.
COMPONENT_ACC:
acc PORT MAP
(
aclr => clr2acc,
clock => wr2acc,
data => ad_data,
result => result
);
COMPONENT_ad_fifo:
fifo PORT MAP
(
aclr => aclr,
result => result,
clock => clk,
rdreq => rdreq,
wrreq => wr2fifo,--wrreq,
q => q_fifo,--to ad_moudule interface
empty => fifo_empty,
full => fifo_full
);
============================================
Dos NOT work:
COMPONENT_ACC:
acc PORT MAP
(
aclr => clr2acc,
clock => wr2acc,
data => ad_data,
result(22 downto 7) => data
);
COMPONENT_ad_fifo:
fifo PORT MAP
(
aclr => aclr,
data => result(22 downto 7),
clock => clk,
rdreq => rdreq,
wrreq => wr2fifo,--wrreq,
q => q_fifo,--to ad_moudule interface
empty => fifo_empty,
full => fifo_full
);
============================================
Works:
result(22 downto 7) <= data;
COMPONENT_ACC:
acc PORT MAP
(
aclr => clr2acc,
clock => wr2acc,
data => ad_data,
result(22 downto 7) => data
);
COMPONENT_ad_fifo:
fifo PORT MAP
(
aclr => aclr,
data => result(22 downto 7),
clock => clk,
rdreq => rdreq,
wrreq => wr2fifo,--wrreq,
q => q_fifo,--to ad_moudule interface
empty => fifo_empty,
full => fifo_full
);
============================================
Signals with same name will be connected automatically.
Signals with differenet names should be connected explicitly.
Monday, April 27, 2009
Wednesday, April 22, 2009
大克鼎
铸刻的铭文告知我们：大克鼎的最初主人是克，西周孝王(距今两千八百多年)时的膳夫，专管周天子的饮食，属于“天官”。克的祖父师华父是周室重臣，辅弼王 室，德厚功高。周天子感念师华父的功绩，就任命克为出传王命、入达下情的宫廷大臣。官职爵禄世袭，单传嫡长子、孙。克知道自己的一切都得之祖父的余荫，于 是作了这个大鼎，用来祭祀祖父师华父。这铭文是周天子把土地赏给臣民的记录，对于西周的土地制度、社会制度的研究，都提供了极其珍贵的史料。
潘达于女士捐赠。
本家姓丁的潘达于出生官宦人家，1923年嫁入苏州潘家，成为潘祖荫的孙媳妇。潘氏当时家境殷实，家藏丰 富，有“滂喜斋”专藏珍本书籍和“攀古楼”专藏青铜器。虽然家中有万宝，但她坚守祖训：“谨守护持、绝不示人。”抗日战争期间，她在家人协助下，将包括大 盂鼎、大克鼎在内的家藏珍贵器物深埋在地下，书画及部分古董则安放在隐蔽的隔间中。由于安排周密，日军多次冲进潘家，威逼利诱，却始终没有发现埋于地下和 藏于隔间中的文物，珍宝安全地度过了战火纷飞的岁月。
大克鼎与光绪中期出土于陕西的扶风法门寺地区。同事出土的还有仲义父
2007年8月8日，国之重器西周青铜器大克鼎和大盂鼎的捐赠者———百岁老人、上海文史馆馆员潘达于女士无疾而终，安然辞世，享年104岁。
ref: http://www.9wh.net/News_Show.asp?NewsID=10053
ref: http://bbs.tiexue.net/post2_2306832_1.html
潘达于女士捐赠。
本家姓丁的潘达于出生官宦人家，1923年嫁入苏州潘家，成为潘祖荫的孙媳妇。潘氏当时家境殷实，家藏丰 富，有“滂喜斋”专藏珍本书籍和“攀古楼”专藏青铜器。虽然家中有万宝，但她坚守祖训：“谨守护持、绝不示人。”抗日战争期间，她在家人协助下，将包括大 盂鼎、大克鼎在内的家藏珍贵器物深埋在地下，书画及部分古董则安放在隐蔽的隔间中。由于安排周密，日军多次冲进潘家，威逼利诱，却始终没有发现埋于地下和 藏于隔间中的文物，珍宝安全地度过了战火纷飞的岁月。
大克鼎与光绪中期出土于陕西的扶风法门寺地区。同事出土的还有仲义父
2007年8月8日，国之重器西周青铜器大克鼎和大盂鼎的捐赠者———百岁老人、上海文史馆馆员潘达于女士无疾而终，安然辞世，享年104岁。
ref: http://www.9wh.net/News_Show.asp?NewsID=10053
ref: http://bbs.tiexue.net/post2_2306832_1.html
Sunday, April 5, 2009
TC vs. RTD
TC: thermoelectric couple
RTD: resistance temperature detector
===============
RTD: Cu, Pt
Cu material: low precision, cheap
Pt material: high precision, expensive
when (>-200`C && <0`C):: Rt=Ro[1+At+Bt^2+C(t-100)t^3]
when(>0`C && <650`C):: Rt=Ro[1+At+Bt^2]
Cu material:
used between -50`C and 150`C:: Rt=Ro[1+at]
RTD: resistance temperature detector
===============
RTD: Cu, Pt
Cu material: low precision, cheap
Pt material: high precision, expensive
when (>-200`C && <0`C):: Rt=Ro[1+At+Bt^2+C(t-100)t^3]
when(>0`C && <650`C):: Rt=Ro[1+At+Bt^2]
Cu material:
used between -50`C and 150`C:: Rt=Ro[1+at]
Contact resistance of relay
__I consider there are “contact resistance” and “contact electric potential” between leads for all relays.
But it seems wrong. If the materials of leads are the same, there is no such “contact electric potential” thing.
Or there is, but less than 1uV and I can’t observe it use 34401 multimeter.
__All relays have their contact resistance. This resistance is in the scale of mOhm level.
__I measure ten power-relays (IDEC RJ1V-C-D24, power relay, 12A), results are bellow:
____Always-On ports: 105mOhm->37mOhm (when sudden off, shows 105mOhm, then turn small slow)
____Always-Off ports: 6mOhm+/-3mOhm (stable in one second)
__At the same time, not only there are differences between relays on alway-on ports resistance, also unstable for one same relay.
Summery:
1. In general, contact resistance of power relay is small than signal relays because power relays are used under high current.
2. If you want to control the resistance, use always-off ports of relays.
3. Different relays may have different contact resistance, read the data-sheet and measure yourself.
But it seems wrong. If the materials of leads are the same, there is no such “contact electric potential” thing.
Or there is, but less than 1uV and I can’t observe it use 34401 multimeter.
__All relays have their contact resistance. This resistance is in the scale of mOhm level.
__I measure ten power-relays (IDEC RJ1V-C-D24, power relay, 12A), results are bellow:
____Always-On ports: 105mOhm->37mOhm (when sudden off, shows 105mOhm, then turn small slow)
____Always-Off ports: 6mOhm+/-3mOhm (stable in one second)
__At the same time, not only there are differences between relays on alway-on ports resistance, also unstable for one same relay.
Summery:
1. In general, contact resistance of power relay is small than signal relays because power relays are used under high current.
2. If you want to control the resistance, use always-off ports of relays.
3. Different relays may have different contact resistance, read the data-sheet and measure yourself.
debug: AI_mav
CPU: siliconlabs C8051F363
read Pdata error when WTD want to low but we pull up this pin.
当WTD企图复位但是被拉高（插仿真器）时，P口读数据错误（读到端口地址）。
when read error, VCC steable, /RST fall about 100mv.
出错时，电源稳定，/RST上有小于100mv的扰动。
root cause:
錯誤是由於FPGA的全局reset信號腳由WTD控制，當FPGA被復位時有一次P口數據即讀錯。
conclusion:
只要有正常的驅動，微小的電平浮動不會干擾數字信號至出錯。
read Pdata error when WTD want to low but we pull up this pin.
当WTD企图复位但是被拉高（插仿真器）时，P口读数据错误（读到端口地址）。
when read error, VCC steable, /RST fall about 100mv.
出错时，电源稳定，/RST上有小于100mv的扰动。
root cause:
錯誤是由於FPGA的全局reset信號腳由WTD控制，當FPGA被復位時有一次P口數據即讀錯。
conclusion:
只要有正常的驅動，微小的電平浮動不會干擾數字信號至出錯。
區分RS232-DB9接口類型
作為底板上的插座，
公頭使用定義：235-RTG
母頭使用定義：235-TRG
這樣，當連接相同類型的插座，使用交叉線（235-325）；連接不同類型的插座，使用平行接線（235-235）。
公頭使用定義：235-RTG
母頭使用定義：235-TRG
這樣，當連接相同類型的插座，使用交叉線（235-325）；連接不同類型的插座，使用平行接線（235-235）。
RS485與RS422接口
RS485最少只要兩根線，Data-和Data+。
RS422最少要4根線，相當于全雙工的485。
RS485是半雙工接口，所以需要告知接口什麽時候收數據，什麽時候發數據。這個控制信號就是RTS。軟件編程時，常用的變成空間并不關心底層使用的是232接口還是485接口還是422接口，處理基本是一樣的，但是對於班上共的485接口，軟件還是要控制RTS這個信號。
以下代碼從 http://blog.csdn.net/dijkstar/archive/2007/08/17/1748609.aspx 轉過來：
==============
方法1：让操作系统正确的控制RTS信号。
hCOM = CreateFile(…)
…
DCB dcb;
memset( &dcb, 0, sizeof(dcb) );
dcb.DCBlength = sizeof(DCB);
dcb.fBinary = TRUE; // binary mode, no EOF check
dcb.fParity = FALSE; // enable/disable parity checking
dcb.fOutxCtsFlow = FALSE; // CTS output flow control
dcb.fOutxDsrFlow = FALSE; // DSR output flow control
dcb.fDtrControl = DTR_CONTROL_DISABLE; // DTR flow control type DTR_CONTROL_HANDSHAKE;
dcb.fDsrSensitivity = FALSE; // DSR sensitivity
dcb.fTXContinueOnXoff = FALSE; // XOFF continues Tx
dcb.fOutX = FALSE; // XON/XOFF out flow control
dcb.fInX = FALSE; // XON/XOFF in flow control
dcb.fErrorChar = FALSE; // enable error replacement
dcb.fNull = FALSE; // enable null stripping
dcb.fAbortOnError = FALSE; // abort on error
dcb.BaudRate = …; // current baud rate
dcb.ByteSize = …; // number of bits/byte, 4-8
dcb.Parity = …; // 0-4=no,odd,even,mark,space
dcb.StopBits = …; // 0,1,2 = 1, 1.5, 2
dcb.fRtsControl = RTS_CONTROL_TOGGLE;//关键啊，什么意思请参考MSDN
SetCommState( hCOM, &dcb );
…
然后就可以使用ReadFile/WriteFile执行RS485的收发了。
方法2: 人工控制。当有特殊要求，不能采用系统控制时采用。
2.a)空闲时，让串口进入接收状态。必须使用ComSend代替WriteFile
dcb.fRtsControl = RTS_CONTROL_DISABLE;//关键啊，什么意思请参考MSDN
SetCommState( hCOM, &dcb );
int ComSend( HANDLE hCOM, const void* pBuf, int iBufSize )
{
EscapeCommFunction( hCOM, SETRTS );
WriteFile(…)
EscapeCommFunction( hCOM, CLRRTS )
…
}
2.b)空闲时，让串口进入发送发送状态，进入接收状态时清除RTS，退出接收状态时设置RTS。
这种流程要复杂一些，有这种要求的不多吧？自己参照上面的办法去做吧。
使用以上这些办法，完全可以兼容3、5、7、9线制232和485,422，软件不用关心串口的工作模式。
最后，如果板子上的485发送、接收使能没有连到RTS上，你可得向卖板子的问清楚，如何设置这些使能端。否则，你就是改驱动，也无从下手啊。
顺便说一句，VxWorks下，默认就是RTS_CONTROL_TOGGLE。所以这种串口用在VxWorks下，倒真的跟RS232一样了。
RS422最少要4根線，相當于全雙工的485。
RS485是半雙工接口，所以需要告知接口什麽時候收數據，什麽時候發數據。這個控制信號就是RTS。軟件編程時，常用的變成空間并不關心底層使用的是232接口還是485接口還是422接口，處理基本是一樣的，但是對於班上共的485接口，軟件還是要控制RTS這個信號。
以下代碼從 http://blog.csdn.net/dijkstar/archive/2007/08/17/1748609.aspx 轉過來：
==============
方法1：让操作系统正确的控制RTS信号。
hCOM = CreateFile(…)
…
DCB dcb;
memset( &dcb, 0, sizeof(dcb) );
dcb.DCBlength = sizeof(DCB);
dcb.fBinary = TRUE; // binary mode, no EOF check
dcb.fParity = FALSE; // enable/disable parity checking
dcb.fOutxCtsFlow = FALSE; // CTS output flow control
dcb.fOutxDsrFlow = FALSE; // DSR output flow control
dcb.fDtrControl = DTR_CONTROL_DISABLE; // DTR flow control type DTR_CONTROL_HANDSHAKE;
dcb.fDsrSensitivity = FALSE; // DSR sensitivity
dcb.fTXContinueOnXoff = FALSE; // XOFF continues Tx
dcb.fOutX = FALSE; // XON/XOFF out flow control
dcb.fInX = FALSE; // XON/XOFF in flow control
dcb.fErrorChar = FALSE; // enable error replacement
dcb.fNull = FALSE; // enable null stripping
dcb.fAbortOnError = FALSE; // abort on error
dcb.BaudRate = …; // current baud rate
dcb.ByteSize = …; // number of bits/byte, 4-8
dcb.Parity = …; // 0-4=no,odd,even,mark,space
dcb.StopBits = …; // 0,1,2 = 1, 1.5, 2
dcb.fRtsControl = RTS_CONTROL_TOGGLE;//关键啊，什么意思请参考MSDN
SetCommState( hCOM, &dcb );
…
然后就可以使用ReadFile/WriteFile执行RS485的收发了。
方法2: 人工控制。当有特殊要求，不能采用系统控制时采用。
2.a)空闲时，让串口进入接收状态。必须使用ComSend代替WriteFile
dcb.fRtsControl = RTS_CONTROL_DISABLE;//关键啊，什么意思请参考MSDN
SetCommState( hCOM, &dcb );
int ComSend( HANDLE hCOM, const void* pBuf, int iBufSize )
{
EscapeCommFunction( hCOM, SETRTS );
WriteFile(…)
EscapeCommFunction( hCOM, CLRRTS )
…
}
2.b)空闲时，让串口进入发送发送状态，进入接收状态时清除RTS，退出接收状态时设置RTS。
这种流程要复杂一些，有这种要求的不多吧？自己参照上面的办法去做吧。
使用以上这些办法，完全可以兼容3、5、7、9线制232和485,422，软件不用关心串口的工作模式。
最后，如果板子上的485发送、接收使能没有连到RTS上，你可得向卖板子的问清楚，如何设置这些使能端。否则，你就是改驱动，也无从下手啊。
顺便说一句，VxWorks下，默认就是RTS_CONTROL_TOGGLE。所以这种串口用在VxWorks下，倒真的跟RS232一样了。
Giving Presentation
Mentor: Mark Woodmansee
Venue: Xinhua Training Room
Date: 2008/20/3
==
Principle:(Try to)
1. Duration no more than 40min
2. Total slides no more than 30
3. Spend on each slide no more than 2min
4. Always arrive at least 10 minutes before the presentation will begin to ensure that all of the audio and visual equipment works.
Three “Ps” to giving good presentation
1. Plan what you are going to say.
a. If you are using Microrsoft PowerPoint, write down the 3 or 4 key points for each slide on a seperate piece of paper.
b. Make sure that you discuss each slide for at least 2 minutes. If the slide does not contain a lot of information, delete it or combine it with others.
2. Prepare for your talk (Anticipate)
a. After you introduce yourself, state the purpose of this presentation.
b. Think about what questions you will be asked.
c. If presenting bad news, be sure to think about how to make the situation better. Create backup slides.
d. Think about your audience. Will they understand what you are talking about? Will they know more about the subject than you do?
3. Practice your presentation
a. Close your office door and practice the presentation speaking out loud.
b. Make sure your key points are captured on a page of notes.
Key Points
* Speak slower that you normally do. Annunciate every word.
* The best presentations usually involve the audience participation. Be sure to ask questions of people in the room.
* Always thank the audience for their time.(Show respect)
* Remember that the audience is not your enemy. They want to learn from you.
* Always repeat a question that is asked. This ensures that everyone hears the question.
* It is OK to say to answer a question with “I don’t know.” Be sure to state how you plan to find the answer.
* Shorter presentation are usually the best. People like to be surprised with free time.
* Turn your cell phone off.
* If using your computer, make sure it works. Have all of the computer files open and ready.
Key Phrases
Opening Statements
* Good morning ladies and gentlemen. My name is …
* Good morning everyone. My name is …
Purpose of your presentation (both at the beginning and the end)
* What I’m going to talk about is…
* I’m going to tell you about…
Repeat what you have discussed
* So, what are the important points I’ve made? Well, first…
* So, to summarize…
At the end, ask for questions
* Thank you very much for listening. Now, do you have any questions?
* If you have any questions, I’ll be glad to answer them.
NOTE: ask questions at the end make you get the feedback, include 1)make your presentation clear. 2)talk about other issue with audience. 3)Audience provide their opinion.
Responses to difficult questions
* I need to think about that one. Could we come back to it later?
* I really don’t know the answer to that. Could we discuss it later?
* Is there anyone else in the audience that can answer that question?
NOTE:if you just say “I don’t know, it’s impoliteNOT GOOD when giving a presentation
* can’t answer
* forgot points
* “um…”, “ah…”
* nervous
* speak quickly
* read the text
Good material:
http://www.maa.org/images/presentation.pdf
Venue: Xinhua Training Room
Date: 2008/20/3
==
Principle:(Try to)
1. Duration no more than 40min
2. Total slides no more than 30
3. Spend on each slide no more than 2min
4. Always arrive at least 10 minutes before the presentation will begin to ensure that all of the audio and visual equipment works.
Three “Ps” to giving good presentation
1. Plan what you are going to say.
a. If you are using Microrsoft PowerPoint, write down the 3 or 4 key points for each slide on a seperate piece of paper.
b. Make sure that you discuss each slide for at least 2 minutes. If the slide does not contain a lot of information, delete it or combine it with others.
2. Prepare for your talk (Anticipate)
a. After you introduce yourself, state the purpose of this presentation.
b. Think about what questions you will be asked.
c. If presenting bad news, be sure to think about how to make the situation better. Create backup slides.
d. Think about your audience. Will they understand what you are talking about? Will they know more about the subject than you do?
3. Practice your presentation
a. Close your office door and practice the presentation speaking out loud.
b. Make sure your key points are captured on a page of notes.
Key Points
* Speak slower that you normally do. Annunciate every word.
* The best presentations usually involve the audience participation. Be sure to ask questions of people in the room.
* Always thank the audience for their time.(Show respect)
* Remember that the audience is not your enemy. They want to learn from you.
* Always repeat a question that is asked. This ensures that everyone hears the question.
* It is OK to say to answer a question with “I don’t know.” Be sure to state how you plan to find the answer.
* Shorter presentation are usually the best. People like to be surprised with free time.
* Turn your cell phone off.
* If using your computer, make sure it works. Have all of the computer files open and ready.
Key Phrases
Opening Statements
* Good morning ladies and gentlemen. My name is …
* Good morning everyone. My name is …
Purpose of your presentation (both at the beginning and the end)
* What I’m going to talk about is…
* I’m going to tell you about…
Repeat what you have discussed
* So, what are the important points I’ve made? Well, first…
* So, to summarize…
At the end, ask for questions
* Thank you very much for listening. Now, do you have any questions?
* If you have any questions, I’ll be glad to answer them.
NOTE: ask questions at the end make you get the feedback, include 1)make your presentation clear. 2)talk about other issue with audience. 3)Audience provide their opinion.
Responses to difficult questions
* I need to think about that one. Could we come back to it later?
* I really don’t know the answer to that. Could we discuss it later?
* Is there anyone else in the audience that can answer that question?
NOTE:if you just say “I don’t know, it’s impoliteNOT GOOD when giving a presentation
* can’t answer
* forgot points
* “um…”, “ah…”
* nervous
* speak quickly
* read the text
Good material:
http://www.maa.org/images/presentation.pdf
Thursday, February 12, 2009
X电容与Y电容
安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全.
它包括X电容各Y电容两种类型，x电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般X电容是uF级，Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰，Y电容抑制共模干扰。
它们的安全等级如下表：
安规电容安全等级 应用中允许的峰值脉冲电压 过电压等级（IEC664）
X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ
X2 ≤2.5kV Ⅱ
X3 ≤1.2kV ――
安规电容安全等级 绝缘类型 额定电压范围
Y1 双重绝缘或加强绝缘 ≥ 250V
Y2 基本绝缘或附加绝缘 ≥150V ≤250V
Y3 基本绝缘或附加绝缘 ≥150V ≤250V
Y4 基本绝缘或附加绝缘 <150V
Y 电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义
它包括X电容各Y电容两种类型，x电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般X电容是uF级，Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰，Y电容抑制共模干扰。
它们的安全等级如下表：
安规电容安全等级 应用中允许的峰值脉冲电压 过电压等级（IEC664）
X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ
X2 ≤2.5kV Ⅱ
X3 ≤1.2kV ――
安规电容安全等级 绝缘类型 额定电压范围
Y1 双重绝缘或加强绝缘 ≥ 250V
Y2 基本绝缘或附加绝缘 ≥150V ≤250V
Y3 基本绝缘或附加绝缘 ≥150V ≤250V
Y4 基本绝缘或附加绝缘 <150V
Y 电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义
一.抑制电源电磁干扰用电容器
当在电源跨线电路中使用电容器来消除噪音时，不仅仅只有正常电压，还必须考虑到异常的脉冲电压（如闪电）的产生，这可能会导致电容器冒烟或者起火。所以，跨线电容器的安全标准对于在不同国家有严格规定，故必须使用经过安全认证的电容器。
二.不允许将直流电容器用作跨线电容器使用：
对于X2类抑制电源电磁干扰用电容器应适用于在电容器失效时不会导致电击危险的场合，如电源跨线路连接，可承受2.5kV的脉冲电压。
对于Y2类抑制电源电磁干扰用电容器应适用于在电容器失效时不会导致电击危险的场合，用于电源跨线路连接时，能承受5kV的脉冲电压冲击，不致发生击穿现象。
from:http://forum.ed-china.com/FORUM_POST_72_9439_0.HTM
Wednesday, January 14, 2009
关于磁珠
1. 等效于电感，电阻串联
2. 磁珠由氧磁体构成，电感由慈心和线圈组成
3. 磁珠将交流信号转化为热能，电感把交流信号能量储存起来缓慢释放
3. 相对于电感，高频时阻抗更高，低频时阻抗更低，呈现高阻都频域范围宽
4. 铁氧体是磁性材料，会因通过电流过大而产生磁饱和，导磁率急剧下降。大电流滤波应采用结构上专门设计的磁珠，还要注意其散热措施。
5. 铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金，制造工艺和机械性能与陶瓷相似，材料特点是高频损耗大，有很高都导磁率
6. 工作原理描述
对于抑制电磁干扰用的铁氧体，最重要的性能参数为磁导率μ和饱和磁通密度Bs。
磁导率μ可以表示为复数，实数部分构成电感，虚数部分代表损耗，随着频率的增加而增加。因此，它的等效电路为由电感L和电阻R组成的串联电路，L和R都是频率的函数。
当导线穿过这种铁氧体磁芯时，所构成的电感阻抗在形式上是随着频率的升高而增加，但是在不同频率时其机理是完全不同的。
在低频段，阻抗由电感的感抗构成，低频时R很小，磁芯的磁导率较高，因此电感量较大，L起主要作用，电磁干扰被反射而受到抑制，并且这时磁芯的损耗较小，整个器件是一个低损耗、高Q特性的电感，这种电感容易造成谐振因此在低频段，有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。
在低频段，阻抗由电感的感抗构成，低频时R很小，磁芯的磁导率较高，因此电感量较大，L起主要作用，电磁干扰被反射而受到抑制，并且这时磁芯的损耗较小，整个器件是一个低损耗、高Q特性的电感，这种电感容易造成谐振因此在低频段，有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。
在高频段，阻抗由电阻成分构成，随着频率升高，磁芯的磁导率降低，导致电感的电感量减小，感抗成分减小 但是，这时磁芯的损耗增加，电阻成分增加，导致总的阻抗增加，当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。
7. 应用
用于印制电路板、电源线和数据线上。如在印制板的电源线入口端加上铁氧体抑制元件，就可以滤除高频干扰。铁氧体磁环或磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频干扰和尖峰干扰，它也具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。
磁珠长度越长抑制效果越好。 同样，两个磁珠串联效果好于在同一个里增加绕线圈数。但是通常三个以上时效果就不会再明显增加了
8. 应用举例
磁珠（能量耗散原件）：RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDR,SDRAM,RAMBUS等）
电感（能量储存原件）：LC振荡电路、中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHz。
利用电阻性铁氧体磁珠消除振铃现象
reference:
Wednesday, January 7, 2009
干接点，湿接点
干接点（Dry Contact），相对于湿接点而言，也被称之为干触点，是一种无源开关，具有闭合和断开的两种状态，两个接触点之间没有极性，可以互换；
常见的干接点信号有：
* 各种开关，如限位开关、行程开关、脚踏开关、旋转开关、温度开关、液位开关等；
* 各种按键；
* 各种传感器的输出，如：环境动力监控中的传感器：水浸传感器、火灾报警传感器、玻璃破碎、振动、烟雾和凝结传感器；
* 继电器、干簧管的输出；
* 各种按键；
* 各种传感器的输出，如：环境动力监控中的传感器：水浸传感器、火灾报警传感器、玻璃破碎、振动、烟雾和凝结传感器；
* 继电器、干簧管的输出；
湿接点（Wet Contact），相对于干接点而言，也被称之为湿触点，是一种有源开关，具有有电和无电的两种状态，两个接点之间有极性，不能反接。
常见的湿接点信号有：
* 如果把以上的干接点信号，接上电源，再跟电源的另外一极，作为输出，就是湿接点信号；工业控制上，常用的湿接点的电压范围是DC0～30V，比较标准的是DC24V；AC110～220V的输出也可以是湿接点，尽管这样做比较少；
* 把TTL电平输出作为湿接点，也未尝不可；一般情况下，TTL电平需要带缓冲输出的，例如：7407、245、244等，与VCC等构成回路；244、245也可以跟gnd构成回路；才能驱动远方的光耦。
* NPN三极管的集电极输出和VCC；
* 达林顿管的集电极输出和VCC；
* 红外反射传感器和对射传感器的输出。
* 把TTL电平输出作为湿接点，也未尝不可；一般情况下，TTL电平需要带缓冲输出的，例如：7407、245、244等，与VCC等构成回路；244、245也可以跟gnd构成回路；才能驱动远方的光耦。
* NPN三极管的集电极输出和VCC；
* 达林顿管的集电极输出和VCC；
* 红外反射传感器和对射传感器的输出。
在工业控制领域中，采用干接点要远远多于湿接点，这是因为干接点没有极性带来的优点：
* 随便接入，降低工程成本和工程人员要求，提高工程速度
* 处理干接点开关量数量多
* 连接干接点的导线即使长期短路既不会损坏本地的控制设备，也不会损坏远方的设备
* 接入容易，接口容易统一
* 处理干接点开关量数量多
* 连接干接点的导线即使长期短路既不会损坏本地的控制设备，也不会损坏远方的设备
* 接入容易，接口容易统一
干接点和湿接点的调理方法：
采用光耦的光电隔离。
干接点的接入光耦，顺序如下：
VCC→限流电阻→光耦LED→干接点1→干接点2→GND
也可以：
VCC→干接点1→干接点2→限流电阻→光耦LED→GND
湿接点的接入光耦，顺序如下：
湿接点1→限流电阻→光耦LED→湿接点2
湿接点如果是DC电源，如果湿接点1和2反了，显然打不开光耦；
湿接点如果是AC电源，可以相反。
from:http://www.dvsbbs.com/dispbbs.asp?boardID=25&ID=18103&page=1
Tuesday, January 6, 2009
埋入式电阻
被动组件技术进入第三个世代－埋入式
历经了反复的产业变化之后，被动组件的生产技术，在经历小型化的磨练之后，也即将进入第三个世代，也就是朝向高整合和埋入式的发展。
在单芯片模块技术尚未完全成熟之前，被动组件在成本及特性的因素下，无法完全整合于IC内，必须利用外接的方式来达到功能模块，但是因为在功能模块上所使用的被动组件数目相当多，容易造成可靠度低、高生产成本及基板面积不易缩小等缺点，所以已经有多数业者开始利用高整合和埋入式技术来克服上述的缺点。而关于整合被动组件于同一封装内，因为受限于材料、技术以及经验等等，发展进度并不如预期快速。以今日环境来看，技术较为成熟的是利用陶瓷材料利用低温烧结，以及薄膜的技术将被动组件埋入于基板之内。
但是因为每个被动组件的特性不同，以及上述技术所使用材料的问题，对于被动组件的可靠性和性能也就出现了一些差异性，因为在目前的基板技术中，由于低温共烧陶瓷与MultichipModule-Deposited(MCM-D)，在工艺控制方面有较好的表现，目前已成功地应用在许多电子产品中。
但是，在相对于大多数以BT(BismaleimideTriazine)为主要材料的压合基板(LaminatedSubstrate)而言，低温陶瓷封装与MCM-D在材料与工艺上的成本均较BT基板封装来的贵。所以，若将埋入式被动组件技术应用在BT基板中，应可望降低产品的材料成本。
埋入式被动组件设计考虑因素
根据Motorola的实验报告显示，如果在产品的设计上采用埋入式被动组件技术，可减少40％的电路板面积，并且可缩短布线长度提高产品的构装效率，另外，当产品的操作频率超过1GHz时，也可有效的降低噪声以及寄生效应，和目前表面黏着技术(SMT)相较，如果内建的被动组件数量相当多的情况下，虽然材料本身的成本较为昂贵，但整体而言，对于大量生产的条件下，还是能够达到降低成本的目标。
就设计上来看，首先应分析每个组件的数值和容限，随后对那些在埋入时对电路功能至关重要的组件进行评估。重要的组件可能是指要求高Q值、高功耗或对噪声敏感的被动组件，以及那些用于对电路功能进行微调的组件。此外，工程师必须决定如何对埋入式被动组件进行布局，以使各功能不至相互干扰并由此降低整个电路的功能(交互／寄生电容或电感)。最后必须进行计算以确定在各个层上是否有足够的空间来埋入全部被选择的组件。可把埋入式被动组件电路组件相互组合起来，同时把埋入式被动组件与SMT组件组合起来，以形成一个总体面积更小、功能相当的模块。在大多数设计里，通常首先检查埋入电阻的可能性，因为电阻是数量最多的被动组件，且在解放电路板面积资源方面最具潜力。空出来的表面积则可以用来埋入那些原本无法装进的较大电容器或电感，或者用于压缩模块的占用面积。根据经验，只要每一次印刷的底板电阻密度超过8K-10K，因采用2种或更多喷墨印刷而增加的费用便不成为问题。影响基板成本的因素有许多种，但最重要的一个因素是基板的利用率。每个基板上的电阻密度越大，基板的成本越低，模块的成本也越低。
埋入式电阻限制与制作课题
目前许多射频模块所需的上限电容量并不高，因而还可利用聚合物的压合技术来进行埋入，此外传输终端处理，通常需要的电阻值及电容值都不高，且其公差范围也不至太过严苛，只要误差不超过10％便可无往不利了。
所以就电阻而言，其电阻值在1Ω-1MΩ的工作范围中，只需动用到100Ω/m2与10,000Ω/m2等两种电阻材料即可，而且其串连数量也不会超过 100个，不过却因为散热的问题，使得埋入式电阻的尺寸无法再减缩。不只是电阻，因为材料的关系埋入式的电容的尺寸也很难再小了，目前介质材料主要区分为 Paraelectrics与Ferroelectrics两种，Paraelectrics包含SiO2、Al2O3、Ta2O5，以及常用的聚合物等，K值通常只处于25∼50之间，但其介质常数(DK)却较不受到频率、电压、温度、及时间等因素所干扰。 Ferroelectrics则有BaTiO3、PbxZr1-xTiO3、BaxSr1-xTiO3等，K值通常较Paraelectrics高约 1,000倍以上，但相对地其介质常数却会因频率、电压、以及温度等变量而每况愈下。例如，在1GHz的高频环境中，利用Ferroelectrics制成的电容，其损失可能会高达原本电容量的4分之1。然而，以Paraelectrics材料埋入的话，则几乎不会出现变化。
Subscribe to:
Posts (Atom)